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上海百圖氮化鋁粉工藝圖目錄
氮化鋁粉是一種廣泛應(yīng)用于電子陶瓷、耐火材料、散熱材料、陶瓷增韌劑等領(lǐng)域的重要原料。在電子陶瓷領(lǐng)域，氮化鋁粉具有優(yōu)異的電絕緣性和高溫穩(wěn)定性，是制造電子器件和集成電路封裝材料的重要原料。在耐火材料領(lǐng)域，氮化鋁粉具有極高的熔點和化學(xué)穩(wěn)定性，是制造高級耐火材料和高溫爐具的重要原料。在散熱材料領(lǐng)域，氮化鋁粉具有良好的導(dǎo)熱性能和較小的熱膨脹系數(shù)，是制造高效散熱器和電子元件散熱模塊的重要原料。在陶瓷增韌劑領(lǐng)域，氮化鋁粉能夠顯著提高陶瓷材料的韌性和抗沖擊性能，是制造高級陶瓷刀具和陶瓷軸承等高附加值產(chǎn)品的關(guān)鍵原料。
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氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料。
氮化鋁（AlN）是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價鍵化合物，晶格參數(shù)為a＝3.114，c＝4.986。
純氮化鋁呈藍(lán)白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
氮化鋁（AlN）具有高強度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù)、與硅匹配好等特性，不但用作結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)助劑或增強相，尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領(lǐng)域，其性能遠(yuǎn)超氧化鋁。
氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法，此外還有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反應(yīng)合成法、等離子化學(xué)合成法及化學(xué)氣相沉淀法等。
氮化鋁的發(fā)展
由于氮化鋁是共價化合物，自擴(kuò)散系數(shù)小，熔點高，導(dǎo)致其難以燒結(jié)，直到20世紀(jì)50年代，人們才首次成功制得氮化鋁陶瓷，并作為耐火材料應(yīng)用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。
自20世紀(jì)70年代以來，隨著研究的不斷深入，氮化鋁的制備工藝日趨成熟，其應(yīng)用范圍也不斷擴(kuò)大。
尤其是進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子整機和電子元器件正朝著微型化、輕型化、集成化，以及高可靠性和大功率輸出等方向發(fā)展，越來越復(fù)雜的器件對基片和封裝材料的散熱提出了更高要求，進(jìn)一步促進(jìn)了氮化鋁產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。
中文名稱:氮化鋁
拼音:danhualv
英文名稱：alumin(i)um nitride
分子式:AlN
分子量:40.99
密度:3.235g/cm3
說明:AlN屬類金剛石氮化物，最高可穩(wěn)定到2200℃。
室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。
導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料。
抗熔融金屬侵蝕的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。
氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。
砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護(hù)它在退火時免受離子的注入。
氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?/p>
室溫下與水緩慢反應(yīng).可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍(lán)色粉末。
或由Al2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成，產(chǎn)物為灰白色粉末。
或氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。
1.氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2.氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
工藝路線：氮化鋁粉末采用碳熱還原氮化法；高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片采用氛常壓燒結(jié)法。
